[发明专利]一种高导电性的链状光电纳米桥的制备方法

摘要

一种高导电性的链状光电纳米桥的制备方法，属于材料化学技术领域。本发明利用金纳米棒的端面区域功能化技术，实现了对金纳米棒的特定区域实现了寡核苷酸的表面修饰，借助寡核苷酸的仿生识别性质，实现纳米棒的链状结构的形成；通过调控电极的位置，电势的大小、缓冲介质等条件实现纳米棒的纳米光电纳米桥，进而使得两个不相连接的导体之间实现通电，得到纳米电线，有效提高导电效率。

主权项

一种高导电性的链状光电纳米桥的制备方法，其特征是步骤为：（1）金纳米棒端面区域功能化：a、金纳米棒‑寡脱氧核糖核酸1，即AuNR‑DNA1的制备：利用晶种生长法合成的金纳米棒10µL，加入5µL的1mM的巯基修饰的DNA1，振摇反应8h，7500r/min离心15min，弃上清，水洗一次，用10µL的0.005M的十六烷基三甲基溴化铵溶液分散AuNR‑DNA1复合物，4℃保藏、待用；b、金纳米棒‑寡脱氧核糖核酸2 ，即AuNR‑DNA2的制备：利用晶种生长法合成的金纳米棒10µL，加入5µL的1mM的巯基修饰的DNA 2，振摇反应8h，7500r/min离心15min，弃上清，水洗一次，用10µL的0.005M的十六烷基三甲基溴化铵溶液分散AuNR‑DNA2复合物，4℃保藏、待用；（2）金纳米链的制备：取5μL步骤（1）制备的AuNR‑DNA1和5μL制备的AuNR‑DNA2进行混匀，室温孵育12h后，借助寡核苷酸DNA1和DNA2分别区域功能化的金纳米棒的特异性的仿生识别形成金纳米链的组装超结构，制得金纳米链溶液；（3）纳米链的光电纳米桥的制备：在预先通过经典的光蚀刻技术制备得到的以硅为基底，以两条薄的金条为正负电极，中间为凹槽的基质材料中，将步骤（2）制备的金纳米链溶液滴加入该凹槽中，其中的较长的纳米链结构就自发地连接在边缘两条金条上面，形成纳米链的光电纳米桥，通过控制正负电极的通路，缓冲介质的反应条件进而控制金条上形成单一的纳米链的光电纳米桥，实现纳米链的光电纳米桥的制备。