[发明专利]一种高导电性的链状光电纳米桥的制备方法

权利要求书

1.一种高导电性的链状光电纳米桥的制备方法，其特征是步骤为：

（1）金纳米棒端面区域功能化：

a、金纳米棒-寡脱氧核糖核酸1，即AuNR-DNA1的制备：利用晶种生长法合成的金纳米棒10μL，加入5μL的1mM的巯基修饰的DNA1，振摇反应8h，7500r/min离心15min，弃上清，水洗一次，用10μL的0.005M的十六烷基三甲基溴化铵溶液分散AuNR-DNA1复合物，4℃保藏、待用；

b、金纳米棒-寡脱氧核糖核酸2 ，即AuNR-DNA2的制备：利用晶种生长法合成的金纳米棒10μL，加入5μL的1mM的巯基修饰的DNA 2，振摇反应8h，7500r/min离心15min，弃上清，水洗一次，用10μL的0.005M的十六烷基三甲基溴化铵溶液分散AuNR-DNA2复合物，4℃保藏、待用；

（2）金纳米链的制备：取5μL步骤（1）制备的AuNR-DNA1和5μL制备的AuNR-DNA2进行混匀，室温孵育12h后，借助寡核苷酸DNA1和DNA2分别区域功能化的金纳米棒的特异性的仿生识别形成金纳米链的组装超结构，制得金纳米链溶液；

（3）纳米链的光电纳米桥的制备：在预先通过经典的光蚀刻技术制备得到的以硅为基底，以两条薄的金条为正负电极，中间为凹槽的基质材料中，将步骤（2）制备的金纳米链溶液滴加入该凹槽中，其中的较长的纳米链结构就自发地连接在边缘两条金条上面，形成纳米链的光电纳米桥，通过控制正负电极的通路，缓冲介质的反应条件进而控制金条上形成单一的纳米链的光电纳米桥，实现纳米链的光电纳米桥的制备。

2.根据权利要求1所述高导电性的链状光电纳米桥的制备方法，其特征在于：步骤（1）中DNA1的序列为5’-SH-AAAAAAAACC CCCCCC- 3’，DNA2的序列为5’-SH-GGGGGGGGTT TTTTTT-3’。

3.根据权利要求1所述高导电性的链状光电纳米桥的制备方法，其特征在于对步骤（2）及步骤（3）所得产品纳米链及光电纳米桥结构的表征及性能的探测如下：

采用加速电压为200 keV的扫描电镜、X射线能谱仪、激光动态光散射仪对金纳米棒自组装构建的纳米链进行表征，通过上述表征手段可知该种金纳米链成功构建；

采用场发射的扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见光谱仪及原子力电子显微镜仪器对制备的光电纳米桥结构进行表征；

采用在相邻的两条金条上面加入40V的电压值，通过测定两条金条之间的电流值的变化，测定光电纳米桥的导电性能，通过测定结果可知，其导电性能优异。