[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410213230.6 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103985685B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法，所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡层和所述籽铜层之间；或者，所述增强层位于所述铜金属化层上方。该结构有利于减少铜金属化层的厚度，有利于降低工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 芯片 金属化 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体芯片的铜金属化结构，包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，其特征在于，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡层和所述籽铜层之间；或者，所述增强层位于所述铜金属化层上方；所述铜金属化结构上设置有芯片铜引线键合区，所述增强层位于所述芯片铜引线键合区处，所述增强层的外围轮廓比所述芯片铜引线键合区的轮廓大20～50％；所述增强层为一整体结构，所述整体结构为其内部设置有若干个开口的网状结构；或所述增强层包括至少两个间断的部分。
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