[发明专利]高纯硼-11的制备方法无效
申请号: | 201410212515.8 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103964454A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 方治文 | 申请(专利权)人: | 方治文 |
主分类号: | C01B35/02 | 分类号: | C01B35/02 |
代理公司: | 天津市宗欣专利商标代理有限公司 12103 | 代理人: | 胡恩河 |
地址: | 300051 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯硼-11的制备方法,属于硼的同位素材料的制备方法,包括以下步骤:(ⅰ)反应器预处理;(ⅱ)三卤化硼-11气体与氢气还原反应;(ⅲ)产品分离;(ⅳ)尾气回收处理。本发明提供了一种高纯硼-11的制备方法,利用本发明方法制备的高纯高丰度硼-11能够满足先进超大规模集成电路制程对掺杂源硼-11特殊要求,高纯高丰度硼-11在航天合金材料、核能材料、光导纤维、人造聚晶金刚石领域中具有重要应用前景。 | ||
搜索关键词: | 高纯 11 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯硼‑11的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(ⅰ)反应器预处理对制备系统密封测漏合格后,预热反应器(4)到900℃~1300℃,同时通入高纯氢气置换整个系统中的空气,直到由系统中排出的氢气含水量小于1ppm为止;(ⅱ)高纯三卤化硼‑11还原将来自三卤化硼‑11储罐(1)的高纯三卤化硼‑11气体与来自氢气储罐(2)的高纯氢气按体积比1:5~1:10的比例通入混合器(3)进行混合,混合后的混合气连续通入反应器(4),反应器内压力不超过1.0MPa,混合气中的高纯三卤化硼‑11被氢还原析出单质硼‑11沉积在反应器(4)内壁,反应式如下:2 11BX3(g) + 3 H2(g) → 2 11B(s) + 6 HX(g)其中:X为F、Cl 、Br g表示气体,s表示固体;(ⅲ)产品分离反应结束后,将反应器(4)冷却至常温,从反应器(4)内壁上剥离沉积其上的沉积物,即得到高纯单质硼‑11产品;(ⅳ)尾气回收处理未反应的高纯三卤化硼‑11气体、氢气与副产物卤化氢经过滤器(5)过滤后导入换热器(6)冷却至室温,然后导入分离塔(7)使三卤化硼‑11 与氢气、卤化氢分离,分离后的三卤化硼‑11和氢气回收再利用,少量尾气进入尾气处理系统(8)进行处理。
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