[发明专利]桶式炉和半导体制造方法无效
| 申请号： | 201410211465.1 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103985657A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 苏建培;张健;丁海东 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种桶式炉和半导体制造方法，适用于外延工艺，通过将吊杆的长度设置为300mm～350mm，并配合可拆卸的垫片一起使用，根据实际需要来增减吊杆上垫片的个数，可以调节基座的竖直方向的上下位置，使得上区和下区所承载的衬底在进行外延工艺时处于较佳的控温区域，从而进行过外延工艺后，衬底上的外延层具有均匀的厚度及电阻率，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 桶式炉 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种桶式炉，适用于外延工艺，其特征在于，包括：腔体、设置于腔体内的基座、设置于所述基座上并与所述腔体连接的吊杆；其中，所述吊杆的长度为300mm～350mm，并且其上设置有可拆卸的垫片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
