[发明专利]桶式炉和半导体制造方法无效
| 申请号： | 201410211465.1 | 申请日： | 2014-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103985657A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 苏建培;张健;丁海东 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 桶式炉 半导体 制造 方法 | ||
1.一种桶式炉，适用于外延工艺，其特征在于，包括：腔体、设置于腔体内的基座、设置于所述基座上并与所述腔体连接的吊杆；其中，
所述吊杆的长度为300mm～350mm，并且其上设置有可拆卸的垫片。
2.如权利要求1所述的桶式炉，其特征在于，所述吊杆为中空的杆体，所述杆体内设置有温度测量装置。
3.如权利要求2所述的桶式炉，其特征在于，所述吊杆包括第一吊杆、及与所述第一吊杆连接的第二吊杆。
4.如权利要求3所述的桶式炉，其特征在于，所述第二吊杆的内径等于所述第一吊杆的内径；所述第二吊杆的外径大于所述第一吊杆的外径。
5.如权利要求4所述的桶式炉，其特征在于，所述第二吊杆的内径为42mm～46mm；所述第二吊杆的外径为54～56mm。
6.如权利要求5所述的桶式炉，其特征在于，所述吊杆上固定有卡环。
7.如权利要求6所述的桶式炉，其特征在于，所述卡环的外径尺寸为76mm～79mm。
8.如权利要求7所述的桶式炉，其特征在于，所述垫片的形状为环形，并且所述垫片的内径尺寸大于等于所述第二吊杆的外径尺寸，并小于所述卡环的外径尺寸；其中，所述垫片的外径尺寸为78mm～114mm。
9.如权利要求8所述的桶式炉，其特征在于，所述垫片的厚度为10mm～15mm。
10.如权利要求1-9中任一项所述的桶式炉，其特征在于，所述腔体、吊杆及垫片的材质均为石英。
11.如权利要求1-9中任一项所述的桶式炉，其特征在于，所述基座为中空的正棱台。
12.如权利要求1-9中任一项所述的桶式炉，其特征在于，所述基座上设置有承载衬底的承载区；所述承载区包括沿竖直方向依次划分的上区、中区、及下区。
13.一种半导体制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供如上所述的桶式炉、测试样品及衬底；
对测试样品进行外延工艺，在所述测试样品表面形成外延层；
对测试样品的外延层进行电阻率及厚度的测试；
根据所述外延层的电阻率及厚度的分布情况，估计基座沿竖直方向需要移动的距离；
根据所估计的距离调整吊杆上垫片的数量；
将调整过垫片数量的吊杆与所述基座组装；
在基座上放置所述衬底，对所述衬底进行外延工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
