[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201410209243.6 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104037126A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郭建 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。一种阵列基板的制备方法，包括形成包括薄膜晶体管、像素电极以及公共电极线的步骤，形成所述薄膜晶体管包括形成包括栅极、栅绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层、源极和漏极的图形的步骤，所述栅极与所述公共电极线形成在同层，其中，依次形成栅绝缘薄膜和半导体薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述半导体层的图形；再形成刻蚀阻挡薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形。该阵列基板的制备方法能够减少构图工艺次数，简化制作工艺，提升阵列基板产品的产能，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，包括形成包括薄膜晶体管以及像素电极、公共电极线的步骤，形成所述薄膜晶体管包括形成包括栅极、栅绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层、源极和漏极的图形的步骤，所述栅极与所述公共电极线形成在同层，其特征在于，依次形成栅绝缘薄膜和半导体薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述半导体层的图形；再形成刻蚀阻挡薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
