[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示装置)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置。

不管是LCD还是OLED显示装置，都包括阵列基板，阵列基板中包括多个呈阵列排布的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：简称TFT)构成的像素电路，每一像素电路对应一个子像素单元，薄膜晶体管作为显示装置像素的控制开关，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

随着技术的发展，现有的阵列基板生产技术中出现了金属氧化物作为半导体层的薄膜晶体管(例如IGZO)，金属氧化物薄膜晶体管可以实现迁移率的大幅度提升，使得显示面板的集成度进一步提高。但是，金属氧化物(例如IGZO)由于容易受到环境水汽等的影响，且在刻蚀形成半导体层上方的源极和漏极时会腐蚀掉金属氧化物半导体层，因此，必须在半导体层上方制作一层刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，简称ESL)，以便在刻蚀形成源极和漏极的过程中保护金属氧化物半导体层，使金属氧化物半导体层不被刻蚀液腐蚀。

一般来说，在制备含有金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的过程中，所用掩模板的数量越少，即构图工艺的次数越少，则生产效率越高，成本越低。但是，在增设了刻蚀阻挡层后，为了保证与栅极同层设置的公共电极线与阵列基板中的公共电极(ADS型)或彩膜基板中的公共电极(TN型)的电连接，使得金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板的制备工艺变的比较复杂，例如：通常的TN型阵列基板需要六次构图工艺制备形成，而在ADS型阵列基板则需八次构图工艺制备形成。

如图1A-图1F所示(图1A-图1F中竖直方向的曲线表示左右两侧的图形处于不同的剖切面，以下具体实施例部分的各图与此同)，在现有技术中，形成ADS型阵列基板的八次构图工艺分别为：

如图1A所示，采用第一次构图工艺，在基板1的上方形成包括栅极2和栅线(图1A中未示出)、公共电极线21的图形；

如图1B所示，采用第二次构图工艺，采用SiOx材料形成包括栅绝缘层3的图形，栅绝缘层3中在公共电极线21的上方形成有接触过孔31；

如图1C所示，采用第三次构图工艺，采用金属氧化物材料形成包括半导体层4的图形；

如图1D所示，采用第四次构图工艺，采用SiOx材料形成包括刻蚀阻挡层5的图形，刻蚀阻挡层5中形成有源极过孔51和漏极过孔52；

如图1E所示，采用第五次构图工艺，形成包括源极6、漏极7、公共电极连接线12和数据线(图1E中未示出)的图形，源极6通过源极过孔51与半导体层4相连，漏极7通过漏极过孔52与半导体层4相连；

如图1F所示，再采用三次构图工艺，分别形成包括像素电极9、钝化层8和公共电极10的图形，公共电极10通过公共电极连接线12与公共电极线21电连接。

可见，现有的ADS型阵列基板的制备过程中，一般需要八次构图工艺才能制备完成阵列基板，效率低，生产成本高，对产能影响较大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中采用八次构图工艺来制作阵列基板的不足，提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，该阵列基板的制备方法能够减少构图工艺次数，简化制作工艺，提高生产效率，降低生产成本。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板的制备方法，包括形成包括薄膜晶体管以及像素电极、公共电极线的步骤，形成所述薄膜晶体管包括形成包括栅极、栅绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层、源极和漏极的图形的步骤，所述栅极与所述公共电极线形成在同层，依次形成栅绝缘薄膜和半导体薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述半导体层的图形；再形成刻蚀阻挡薄膜，通过一次构图工艺形成包括所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形。

优选的是，所述通过一次构图工艺形成包括所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形，包括：通过一次构图工艺形成投影面积相同的所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形，且所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的图形包括在所述公共电极线上方并贯穿所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层的接触过孔和位于所述栅极上方对应着形成源极区域的源极过孔、对应着形成漏极区域的漏极过孔，且所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅绝缘层。