[发明专利]一种用合金法高效去除硅中的磷的方法在审
| 申请号： | 201410207011.7 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104030291A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈健;李彦磊;班伯源;李京伟;张涛涛;戴松元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用合金法高效去除硅中的磷的方法。该方法是将硅与Al或Al基合金加热熔化形成过共晶的Al-Si基合金熔体，然后冷却熔体，通过控制片状硅晶体的长晶速率，将杂质磷尽量排除到合金基体中，获得低磷含量的片状硅晶体，实现高效除磷。本发明具有能耗低，无污染，生产效率高，投资规模小，生产工艺和设备操作简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 高效 去除 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种用合金法高效去除硅中的磷的方法，其特征在于具体步骤如下：（1）配料：将工业硅与熔剂金属混合放入坩埚中，工业硅的比例占合金材料重量的20%‑50%；（2）加热熔炼：将坩埚放入加热炉中加热，直至硅和熔剂金属完全熔化为充分混合的合金液体，然后将合金熔体冷却到稍微高于合金成分液相线的温度； （3）结晶：控制熔体冷却速率，使熔体以低于10mK/s的速度从液相线温度开始降温至567℃‑700℃,硅会以粗大的片状初晶硅晶体形式从熔体中析出，剩余的熔体最后凝固形成合金基体；（4）硅晶体与基体的分离：在凝固完成后用盐酸，硝酸等酸腐蚀去除合金基体；或者在凝固接近完成时将未凝固的熔体倒出或将硅晶体从熔体中捞出，然后再用酸洗去除初晶硅片表面附着的合金基体即可获得P元素含量较低的片状硅晶体。
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