[发明专利]一种判断体铁测试值可信度的方法

摘要

本发明提供了一种判断体铁测试值可信度的方法，涉及半导体晶片工艺技术领域，本发明是在对比待测硅片光照前、后少子扩散长度判断出其体铁值可信度的基础上，进一步通过比对可信硅片体铁值与光照前、后少子的扩散长度的相关系数与待测硅片体铁值与光照前、后少子的扩散长度的相关系数的数值差，进而判断出待测硅片的体铁值的可信度，本发明可以有效的判断出体铁值的可信度，为分析工艺数据提供可信的实验数据，加快优化工艺参数的速率。

主权项

一种判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、选取一组可信硅片，采用SPV法分别测量该组硅片光照前少子的扩散长度L_before1、L_before2…L_beforen、光照后少子的扩散长度L_after1、L_after2…L_aftern后，计算出可信硅片的体铁值N_Fe1、N_Fe2…N_Fen； S2、计算S1可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数R_b及体铁值与光照后扩散长度的相关系数R_a； S3、提供待测单枚硅片，采用SPV法测量待测硅片光照前少子的扩散长度L_before(n+1)和光照后少子的扩散长度L_after(n+1)，如待测硅片光照前少子的扩散长度小于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值不可信，如待测硅片光照前少子的扩散长度大于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值可信并进一步计算出待测硅片的体铁值N_Fe(n+1)； S4、将S3中待测单枚硅片放入S1可信硅片组中，计算该组硅片的体铁值与光照前扩散长度的相关系数R′_b及该组硅片的体铁值与光照后扩散长度的相关系数R′_a； S5、比对S2中R_b和S4中R′_b的数值及比对S2中R_a和S4中R′_a的数值，如R_b和R′_b之间的数值越接近且R_a和R′_a的数值越接近则判断该待测硅片的体铁值可信度越高，反之，则判断该待测硅片的体铁值可信度越低。