[发明专利]一种判断体铁测试值可信度的方法有效
| 申请号： | 201410200552.7 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103983540A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 刘耀琴;王艾;周文飞;王建勋 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N13/00 | 分类号： | G01N13/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 判断 测试 可信度 方法 | ||
1.一种判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、选取一组可信硅片，采用SPV法分别测量该组硅片光照前少子的扩散长度Lbefore1、Lbefore2…Lbeforen、光照后少子的扩散长度Lafter1、Lafter2…Laftern后，计算出可信硅片的体铁值NFe1、NFe2…NFen；
S2、计算S1可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数Rb及体铁值与光照后扩散长度的相关系数Ra；
S3、提供待测单枚硅片，采用SPV法测量待测硅片光照前少子的扩散长度Lbefore(n+1)和光照后少子的扩散长度Lafter(n+1)，如待测硅片光照前少子的扩散长度小于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值不可信，如待测硅片光照前少子的扩散长度大于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值可信并进一步计算出待测硅片的体铁值NFe(n+1)；
S4、将S3中待测单枚硅片放入S1可信硅片组中，计算该组硅片的体铁值与光照前扩散长度的相关系数R′b及该组硅片的体铁值与光照后扩散长度的相关系数R′a；
S5、比对S2中Rb和S4中R′b的数值及比对S2中Ra和S4中R′a的数值，如Rb和R′b之间的数值越接近且Ra和R′a的数值越接近则判断该待测硅片的体铁值可信度越高，反之，则判断该待测硅片的体铁值可信度越低。
2.根据权利要求1所述的判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，所述步骤S2中Rb的计算公式为：
其中，Rb为可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数，NFei(i＝1、2…n)为可信硅片组的体铁值，为可信硅片组的体铁值的均值，Lbeforei(i＝1、2…n)为可信硅片组的光照前少子的扩散长度,为可信硅 片组的光照前少子的扩散长度的均值；
所述步骤S2中Ra的计算公式为：
其中，Ra为可信硅片组的体铁值与光照后扩散长度的相关系数，NFei(i＝1、2…n)为可信硅片组的体铁值，为可信硅片组的体铁值的均值，Lafteri(i＝1、2…n)为可信硅片组的光照后少子的扩散长度,为可信硅片组的光照后少子的扩散长度的均值。
3.根据权利要求2所述的判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，所述可信硅片组的的计算公式为：
所述可信硅片组的的计算公式为：
所述可信硅片组的的计算公式为：
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