[发明专利]一种工艺管排气装置有效
申请号: | 201410200372.9 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN103985632A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 徐冬;宋新丰 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种工艺管排气装置,将半导体立式热处理设备工艺管的排气口与连通排气管路的排气管采用法兰相对接,法兰连接面之间具有间隙,并设有密封圈密封,在一侧法兰的连接面位于密封圈与法兰内壁之间处设有吹气口,吹气口通过法兰本体内的吹气腔道连通至吹气进气口,二侧法兰通过夹紧调节机构相固连;冷却吹扫气体经由吹气进气口、吹气腔道、吹气口进入法兰连接面之间的间隙,起到阻隔高温尾气、冷却密封圈及调节排气管内部温度和压力的作用,此外,在工艺处理前,通过气体吹扫,还可以达到净化排气管路的效果。本发明具有密封性好、提高耐温性、结构设计简单和具有可调性等显著特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 工艺 排气装置 | ||
【主权项】:
一种工艺管排气装置,包括半导体立式热处理设备工艺管的排气口,连接排气口的排气管,所述排气管通过排气管路连接至尾气冷却装置,所述排气口与所述排气管的连接处设有密封圈,其特征在于,所述排气口与所述排气管采用法兰相对接,排气口侧法兰与排气管侧法兰的法兰连接面之间具有一定间隙,所述法兰连接面之间通过环绕法兰圆周设置的密封圈相密封;二侧法兰中的其中一侧法兰的连接面位于所述密封圈与法兰内壁之间处设有吹气口,所述吹气口连通该侧法兰本体内的吹气腔道,所述吹气腔道设有通向该侧法兰本体外的吹气进气口;所述二侧法兰通过夹紧调节机构相固连;其中,可由所述吹气进气口吹入不同的冷却吹扫气体,经由所述吹气腔道、所述吹气口进入所述二侧法兰连接面之间的所述间隙,并由所述间隙进入所述法兰内壁,沿所述排气管通过所述排气管路排向所述尾气冷却装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造