[发明专利]一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法无效
| 申请号： | 201410199594.3 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103943615A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孟新玲;隋春飞;刘昭麟;户俊华;栗振超 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 丁修亭 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法，两芯片中的一个直接倒装在基板上，另一个则贴装在前一个芯片上，所需要的工艺步骤减少，且倒装和键合的工艺难度都不高，整体的工艺难度降低，切不需要做焊点再分布，从而大大降低了封装成本。另一方面，工艺上的简单化，容易保证产品良率和生产效率。另外，该结构相比于既有的结构厚度减小，适用性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 芯片 堆叠 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括：基板（1），设有基板电路并具有第一面和与该第一面相对的第二面；第一芯片（3），正面朝向基板（1）而倒装于所述基板（1）；第二芯片（5），背面贴装于所述第一芯片的背面，并通过引线（6）与所述基板（1）键合；以及封装体（2），用于将基板（1）、第一芯片（3）以及第二芯片（5）封装为一体。
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