[发明专利]一种DRAM双芯片堆叠封装结构和封装方法无效
| 申请号： | 201410199594.3 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103943615A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 孟新玲;隋春飞;刘昭麟;户俊华;栗振超 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 丁修亭 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dram 芯片 堆叠 封装 结构 方法 | ||
1.一种DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括：
基板（1），设有基板电路并具有第一面和与该第一面相对的第二面；
第一芯片（3），正面朝向基板（1）而倒装于所述基板（1）；
第二芯片（5），背面贴装于所述第一芯片的背面，并通过引线（6）与所述基板（1）键合；以及
封装体（2），用于将基板（1）、第一芯片（3）以及第二芯片（5）封装为一体。
2.根据权利要求1所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，第二芯片（5）与第一芯片（3）之间通过封装胶或者DAF膜（4）相粘接。
3.根据权利要求1或2所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，由第一芯片（3）倒装于基板（1）而形成的倒装结构在第一芯片（3）与基板（1）间由倒装凸点（7）支撑而形成填充间隙；
所述封装体（2）包含用于填充所述填充间隙的部分。
4.根据权利要求3所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述倒装凸点（7）为焊料凸点。
5.根据权利要求1或2所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，在第二面上设有用于固定锡球（8）的圆形焊盘。
6.根据权利要求1或2所述的DRAM双芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述基板为双层基板。
7.一种DRAM双芯片堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将第一芯片正面相对于基板的第一面而采用倒装工艺倒装在基板的第一面上；
2）以第一芯片的反面为贴装面，以第二芯片的背面为被贴装面将第二芯片贴装在第一芯片上；
3）使用引线键合第二芯片与基板；
4）将引线键合后的基板和装在该基板上的第一芯片、第二芯片包覆。
8.根据权利要求7所述的DRAM双芯片堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，第一芯片与第二芯片通过封装胶或者DAF膜进行粘结。
9.根据权利要求7或8所述的DRAM双芯片堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，在第一芯片与基板进行倒装时，两者之间留有填充间隙，并在包覆时，使用填充料填充该填充间隙。
10.根据权利要求7或8所述的DRAM双芯片堆叠封装结构的封装方法，其特征在于，倒装工艺采用网版印刷工艺成型倒装凸点后的再流倒装焊。
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