[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410199457.X 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN105097537B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 何有丰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/3065
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供衬底,衬底表面形成有若干分立的鳍部,且衬底表面形成有横跨鳍部的栅极结构;在栅极结构侧壁和上表面、鳍部侧壁和上表面以及衬底表面形成侧墙膜;采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀侧墙膜,去除位于衬底表面、栅极结构上表面以及鳍部上表面的侧墙膜,在栅极结构侧壁形成第一侧墙,在鳍部侧壁形成第二侧墙;对第一侧墙进行掺杂处理,降低各向同性刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率;采用各向同性刻蚀工艺刻蚀去除第二侧墙,暴露出鳍部侧壁,保留位于栅极结构侧壁的第一侧墙;在第一侧墙两侧的鳍部内形成掺杂区;在鳍部侧壁和上表面形成金属接触层。本发明降低鳍式场效应管的接触电阻,提高鳍式场效应管的响应速度。
搜索关键词: 场效应 形成 方法
【主权项】:
1.一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括提供衬底,所述衬底表面形成有若干分立的鳍部,且所述衬底表面形成有横跨鳍部的栅极结构;在所述栅极结构侧壁和上表面、鳍部侧壁和上表面以及衬底表面形成侧墙膜;采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙膜,去除位于衬底表面、栅极结构上表面以及鳍部上表面的侧墙膜,在栅极结构侧壁形成第一侧墙,在鳍部侧壁形成第二侧墙;对所述第一侧墙进行掺杂处理,降低各向同性刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率,采用离子注入工艺进行所述掺杂处理,且在对第一侧墙进行掺杂处理后,第一侧墙材料的相对介电常数降低;采用各向同性刻蚀工艺刻蚀去除所述第二侧墙,暴露出鳍部侧壁,保留位于栅极结构侧壁的第一侧墙;在所述第一侧墙两侧的鳍部内形成掺杂区;在所述鳍部侧壁和上表面形成金属接触层。
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