[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号: | 201410199457.X | 申请日: | 2014-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN105097537B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
| 发明(设计)人: | 何有丰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供衬底,衬底表面形成有若干分立的鳍部,且衬底表面形成有横跨鳍部的栅极结构;在栅极结构侧壁和上表面、鳍部侧壁和上表面以及衬底表面形成侧墙膜;采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀侧墙膜,去除位于衬底表面、栅极结构上表面以及鳍部上表面的侧墙膜,在栅极结构侧壁形成第一侧墙,在鳍部侧壁形成第二侧墙;对第一侧墙进行掺杂处理,降低各向同性刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率;采用各向同性刻蚀工艺刻蚀去除第二侧墙,暴露出鳍部侧壁,保留位于栅极结构侧壁的第一侧墙;在第一侧墙两侧的鳍部内形成掺杂区;在鳍部侧壁和上表面形成金属接触层。本发明降低鳍式场效应管的接触电阻,提高鳍式场效应管的响应速度。 | ||
| 搜索关键词: | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括提供衬底,所述衬底表面形成有若干分立的鳍部,且所述衬底表面形成有横跨鳍部的栅极结构;在所述栅极结构侧壁和上表面、鳍部侧壁和上表面以及衬底表面形成侧墙膜;采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙膜,去除位于衬底表面、栅极结构上表面以及鳍部上表面的侧墙膜,在栅极结构侧壁形成第一侧墙,在鳍部侧壁形成第二侧墙;对所述第一侧墙进行掺杂处理,降低各向同性刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率,采用离子注入工艺进行所述掺杂处理,且在对第一侧墙进行掺杂处理后,第一侧墙材料的相对介电常数降低;采用各向同性刻蚀工艺刻蚀去除所述第二侧墙,暴露出鳍部侧壁,保留位于栅极结构侧壁的第一侧墙;在所述第一侧墙两侧的鳍部内形成掺杂区;在所述鳍部侧壁和上表面形成金属接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





