[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括

提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部，且所述衬底表面形成有横跨鳍部的栅极结构；

在所述栅极结构侧壁和上表面、鳍部侧壁和上表面以及衬底表面形成侧墙膜；

采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙膜，去除位于衬底表面、栅极结构上表面以及鳍部上表面的侧墙膜，在栅极结构侧壁形成第一侧墙，在鳍部侧壁形成第二侧墙；

对所述第一侧墙进行掺杂处理，降低各向同性刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率，采用离子注入工艺进行所述掺杂处理，且在对第一侧墙进行掺杂处理后，第一侧墙材料的相对介电常数降低；

采用各向同性刻蚀工艺刻蚀去除所述第二侧墙，暴露出鳍部侧壁，保留位于栅极结构侧壁的第一侧墙；

在所述第一侧墙两侧的鳍部内形成掺杂区；

在所述鳍部侧壁和上表面形成金属接触层。

2.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理的掺杂离子为C或O。

3.如权利要求2所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行掺杂处理后，第一侧墙材料中C原子浓度为5E13atom/cm³至5E15atom/cm³，O原子浓度为5E13atom/cm³至5E15atom/cm³。

4.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述掺杂处理的工艺为离子注入，离子注入的工艺参数为：离子注入能量为1kev至50kev，离子注入剂量为5E13atom/cm²至5E15atom/cm²。

5.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成第一侧墙后进行掺杂处理，所述掺杂处理的工艺步骤包括：形成覆盖于所述鳍部、第二侧墙以及衬底的图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出第一侧墙表面；对所述第一侧墙进行掺杂处理，降低刻蚀工艺对第一侧墙的刻蚀速率；去除所述图形化的光刻胶层。

6.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成第一侧墙前进行掺杂处理，所述掺杂处理的工艺步骤包括：在所述鳍部侧壁和上表面的侧墙膜表面形成图形化的光刻胶层，且暴露出栅极结构侧壁的侧墙膜；对所述暴露出的栅极结构侧壁的侧墙膜进行掺杂处理，降低刻蚀工艺对栅极结构侧壁的侧墙膜的刻蚀速率；去除所述图形化的光刻胶层；回刻蚀所述侧墙膜，在栅极结构侧壁形成第一侧墙，在鳍部侧壁形成第二侧墙，且刻蚀工艺对第二侧墙的刻蚀速率大于对第一侧墙的刻蚀速率。

7.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀工艺为湿法刻蚀。

8.如权利要求7所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为磷酸溶液，其中，磷酸质量百分比为65％至85％，溶液温度为120度至200度。

9.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积、原子层沉积或等离子体化学气相沉积工艺形成所述侧墙膜。

10.如权利要求9所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙膜的材料为氮化硅。

11.如权利要求10所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙膜的工艺参数为：反应气体包括硅源气体和氮源气体，其中，硅源气体为SiH₄、Si₂H₆、Si₂Cl₆、SiH₂Cl₂或双叔丁基氨基硅烷，氮源气体为NH₃，硅源气体流量为0.01slm至3slm，氮源气体流量为0.02slm至5slm，反应腔室温度为300度至800度，反应腔室压强为0.05毫托至30托。