[发明专利]一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法

摘要

一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法。功率晶体管具有半导体本体，其具有底面以及在垂直方向上与该底面远离隔开的顶面。该半导体本体包括多个晶体管单元、第一导电类型的源极区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的漂移区、漏极区和具有在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结的温度传感器二极管。该功率晶体管还具有顶面上的漏极接触端子、底面上的源极接触端子、栅极接触端子、和顶面上的温度感测接触端子。根据第一和第二导电类型，阳极或阴极区电连接到源极接触端子并且另一二极管区被电连接到温度感测接触端子。

主权项

一种功率晶体管，包括：半导体本体，该半导体本体包括：底面以及在垂直方向上与所述底面远离隔开的顶面；多个晶体管单元；第一导电类型的源极区；与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区；第一导电类型的漂移区；漏极区；温度传感器二极管，该温度传感器二极管包括形成在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结；布置在所述顶面上的漏极接触端子；布置在所述底面上的源极接触端子；栅极接触端子；以及布置在所述顶面上并且与所述漏极接触端子介电绝缘的温度感测接触端子；其中，或者（I）所述第一导电类型是‘n’并且所述第二导电类型是‘p’，所述阳极区电连接到所述源极接触端子，并且所述阴极区电连接到所述温度感测接触端子；或者（II）所述第一导电类型是‘p’并且所述第二导电类型是‘n’，所述阴极区电连接到所述源极接触端子，并且所述阳极区电连接到所述温度感测接触端子。