[发明专利]一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法无效
| 申请号: | 201410197413.3 | 申请日: | 2014-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN103952769A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 吕菲;于妍;赵权;杨洪星;林健;刘春香;张伟才 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/40 |
| 代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
| 地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法,该方法使用酸性腐蚀液对磷化铟切割片进行腐蚀,腐蚀过程分为两次,每次腐蚀时间为1min,每次腐蚀后放入去离子水中冲洗,两次腐蚀去除总量为2-3µm。酸性腐蚀液由硫酸、双氧水和表面活性剂混合而成,硫酸、双氧水和表面活性剂的体积比为(4-6):(1-3):(0.005-0.02)。本发明采用酸性化学腐蚀方式对磷化铟单晶切割片进行腐蚀处理,处理后的磷化铟单晶切割片有效地降低了翘曲度指标,且切割片表面光洁、均匀,满足了后续加工的要求。其处理工艺过程简单,可适用于磷化铟单晶加工的批量生产。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 改善 磷化 铟单晶 切割 曲度 方法 | ||
【主权项】:
一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法,其特征在于,该方法使用酸性腐蚀液对磷化铟切割片进行腐蚀,腐蚀过程分为两次,每次腐蚀时间为1min,每次腐蚀后放入去离子水中冲洗,两次腐蚀去除总量为2‑3µm。
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