[发明专利]用于原子层沉积的涡流室盖

摘要

本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细，气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底，且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。

主权项

一种用于半导体处理室的气体罩盖，所述罩盖包括：具有中心气体分配道的主体，通过所述主体的上部的单一气体入口和通过所述主体的底部的单一气体出口，所述单一气体入口和单一气体出口具有终止于所述单一气体入口处的圆柱上部分和终止于所述单一气体出口处的分流下部分，其中所述中心气体分配道的内面包括粗糙表面以提高上面的材料的黏着，所述粗糙表面具有10μin Ra至100μin Ra的平均粗糙度，并且其中多路注入基底置于所述罩盖的所述主体上以在所述主体与所述多路注入基底之间形成气体节环，并且所述气体节环经由狭缝而与所述中心气体分配道流体连通。