[发明专利]用于原子层沉积的涡流室盖

权利要求书

1.一种用于半导体处理室的气体罩盖，所述罩盖包括：

具有中心气体分配道的主体，通过所述主体的上部的单一气体入口和通过所述主体的底部的单一气体出口，所述单一气体入口和单一气体出口具有终止于所述单一气体入口处的圆柱上部分和终止于所述单一气体出口处的分流下部分，其中所述中心气体分配道的内面包括粗糙表面以提高上面的材料的黏着，所述粗糙表面具有10μin Ra至100μin Ra的平均粗糙度，并且其中多路注入基底置于所述罩盖的所述主体上以在所述主体与所述多路注入基底之间形成气体节环，并且所述气体节环经由狭缝而与所述中心气体分配道流体连通。

2.如权利要求1所述的罩盖，其中所述粗糙表面具有30μin Ra至80μin Ra的平均粗糙度。

3.如权利要求1所述的罩盖，其中所述粗糙表面具有10μin Ra至50μin Ra的平均粗糙度。

4.如权利要求1所述的罩盖，所述罩盖还包括：

第一气体导管，所述第一气体导管耦接至所述多路注入基底且与所述中心气体分配道流体连通。

5.如权利要求4所述的罩盖，所述罩盖还包括：

第二气体导管，所述第二气体导管耦接至所述多路注入基底且与所述中心气体分配道流体连通。

6.如权利要求5所述的罩盖，其中所述第一气体导管和所述第二气体导管设置以提供环形气流图案。

7.如权利要求6所述的罩盖，其中所述环形气流图案包括一流动图案，所述流动图案选自由涡流、螺旋、盘旋、卷曲、扭曲、卷绕、漩涡和它们的组合图案所组成的组。

8.如权利要求6所述的罩盖，其中所述第一气体导管和所述第二气体导管自所述中心气体分配道的中心轴以0度以上的角度独立地设置。