[发明专利]半导体器件、使用其的发光器件及包括该发光器件的封装有效
| 申请号： | 201410195635.1 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104143597B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张正训 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/62 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明公开了一种半导体器件、使用其的发光器件及包括该发光器件的封装。所述半导体器件包括：硅衬底；初始缓冲层，设置在所述硅衬底上；过渡层，设置在所述初始缓冲层上；以及发光结构，设置在所述过渡层上，其中所述过渡层包括：多个AlxGa1‑xN层(其中0 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 使用 发光 器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底；初始缓冲层，设置在所述硅衬底上；过渡层，设置在所述初始缓冲层上；以及器件结构，设置在所述过渡层上，其中所述过渡层包括：至少一个AlxGa1‑xN层，设置在所述初始缓冲层上，其中0<x<1；以及插入缓冲层，设置为下列情形的至少一种：位于所述AlxGa1‑xN层之间、位于所述过渡层的下端部、或位于所述过渡层的上端部；其中所述插入缓冲层包括AlN层；其中所述AlxGa1‑xN层包括第一到第K个AlxGa1‑xN层，其中K是2或更大的正整数，依次设置在所述初始缓冲层上；其中第一个AlxGa1‑xN层至第K个AlxGa1‑xN层具有Al浓度梯度使得Al的含量随着离所述初始缓冲层的距离的增加而逐渐减少，以及其中所述AlN层包括多个AlN层，以及所述多个AlN层的厚度随着离所述初始缓冲层的距离的增加而增加。
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