[发明专利]半导体器件、使用其的发光器件及包括该发光器件的封装有效
| 申请号： | 201410195635.1 | 申请日： | 2014-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN104143597B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张正训 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/62 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 使用 发光 器件 包括 封装 | ||
1.一种半导体器件，包括：
硅衬底；
初始缓冲层，设置在所述硅衬底上；
过渡层，设置在所述初始缓冲层上；以及
器件结构，设置在所述过渡层上，
其中所述过渡层包括：
至少一个AlxGa1-xN层，设置在所述初始缓冲层上，其中0<x<1；以及
插入缓冲层，设置为下列情形的至少一种：位于所述AlxGa1-xN层之间、位于所述过渡层的下端部、或位于所述过渡层的上端部；
其中所述插入缓冲层包括AlN层；
其中所述AlxGa1-xN层包括第一到第K个AlxGa1-xN层，其中K是2或更大的正整数，依次设置在所述初始缓冲层上；
其中第一个AlxGa1-xN层至第K个AlxGa1-xN层具有Al浓度梯度使得Al的含量随着离所述初始缓冲层的距离的增加而逐渐减少，以及
其中所述AlN层包括多个AlN层，以及所述多个AlN层的厚度随着离所述初始缓冲层的距离的增加而增加。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个AlN层是下列情形之一：
第一到第K-1个AlN层，分别设置在所述第一到第K个AlxGa1-xN层之间；
第一到第K个AlN层，分别设置在所述第一至第K个AlxGa1-xN层之间；或
第一到第K+1个AlN层，分别设置在所述第一到第K个AlxGa1-xN层的每两个之间，位于所述过渡层的下端部，以及位于所述过渡层的上端部。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中K是7。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述AlN层在低温750℃到950℃下生长。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述AlN层在高温1000℃到1100℃下生长。
6.根据权利要求1至5的任意一个所述的半导体器件，其中所述AlN层的厚度为10nm到50nm。
7.根据权利要求1至5的任意一个所述的半导体器件，其中所述AlN层的厚度小于所述AlxGa1-xN层的厚度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述过渡层的下端部对应于所述过渡层的最下端。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述过渡层的上端部不具有超晶格结构。
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