[发明专利]一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法有效
| 申请号： | 201410193143.9 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103943560A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;雷通;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 介电常数 薄膜 及其 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于包括依次执行：第一步骤，用于形成第一层金属层；第二步骤，用于在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；第三步骤，用于在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中低介电常数薄膜布置在缓冲层上方，并且其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；第四步骤，用于对低介电常数薄膜进行紫外线固化；第五步骤，用于在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
