[发明专利]一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法

权利要求书

1.一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于包括依次执行：

第一步骤，用于形成第一层金属层；

第二步骤，用于在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；

第三步骤，用于在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中低介电常数薄膜布置在缓冲层上方，并且其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；

第四步骤，用于对低介电常数薄膜进行紫外线固化；

第五步骤，用于在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。

2.根据权利要求1所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，低介电常数薄膜是含有致孔剂的掺碳薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，所述第三步骤包括：

第一步，进行第一次液源反应物稳定过程，其中在不开启射频的情况下使得液源前驱物以第一流量流入反应腔；

第二步，在致孔剂不流入反应腔体并开启射频的情况下，使得含有甲基键的硅源前驱体和氧气氦气参与反应，从而生长一层不含致孔剂的碳硅氧化物作为缓冲层；

第三步，在不开启射频的情况下使得液源前驱物以流入与反应腔管道并列的转移管道，待流量稳定在设定的第二流量以后再从转移管道流入反应腔，其中第二流量大于第一流量；

第四步，开启反应腔体中的射频，从而沉积含有致孔剂的低介电常数薄膜。

4.根据权利要求3所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，致孔剂为包含碳和氢的有机物，并且在紫外线照射后会解离并挥发形成空洞。

5.根据权利要求1或2所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，第一层金属层包括钨金属层、铜金属层和铝金属层中的一种。

6.根据权利要求1或2所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，对低介电常数薄膜进行紫外线固化包括对低介电常数薄膜进行紫外线照射。

7.根据权利要求6所述的形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，其特征在于，对低介电常数薄膜进行紫外线照射的时间为20s-500s，对低介电常数薄膜进行紫外线照射的温度在300度到480度之间。