[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410192788.0 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097677B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供硅衬底；根据预形成悬空硅层的厚度设定硅着陆节距后，图案化所述硅衬底以形成所述悬空硅层；在所述悬空硅层上形成器件；进行切割工艺。根据本发明的制作方法，不需要使用研磨工艺对芯片进行减薄处理，即可满足对芯片厚度的要求，有效避免了在研磨制程时对芯片造成的损伤和破坏，提高了产量和良品率，降低了成产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供硅衬底；根据预形成悬空硅层的厚度设定硅着陆节距后，图案化所述硅衬底以形成所述悬空硅层，其中，所述悬空硅层与所述硅衬底之间通过硅着陆区相连接，所述硅着陆区位于所述悬空硅层的边角处；在所述悬空硅层上形成器件；进行切割工艺，以将所述悬空硅层和硅衬底层分开，保留所述悬空硅层作为所述器件的衬底，其中，进行所述切割时，切割线要避开硅着陆区，以去除所述硅着陆区并使所述悬空硅层和所述硅衬底分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410192788.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的形成方法
- 下一篇：一种电润湿显示下基板的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
