[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

主权项

一种半导体发光器件，包括：具有C表面的衬底；n型半导体层，其被设置在所述C表面上且包含氮化物半导体；p型半导体层，其包含氮化物半导体；发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括：势垒层，其包含In_bGa_1‑bN(0≤b<1)并具有层厚度t_b(纳米)；以及阱层，其与所述势垒层层叠，包含In_wGa_1‑wN(0<w<1，b<w)并具有层厚度t_w(纳米)；以及层叠体，其被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括：第一层，其包含In_xGa_1‑xN(0≤x<1)并具有层厚度t_x(纳米)；以及第二层，其与所述第一层层叠，包含In_yGa_1‑yN(0<y<1，x<y<w)并具有层厚度t_y(纳米)，所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍且不高于所述发光部的平均In组成比的0.7倍，假设所述发光部的所述平均In组成比为(w×t_w+b×t_b)/(t_w+t_b)，所述层叠体的所述平均In组成比为(x×t_x+y×t_y)/(t_x+t_y)，并且所述势垒层的所述层厚度t_b为10nm或更小，所述层叠体的厚度等于或大于所述发光部的厚度，所述第一层的厚度大于1纳米且小于3纳米，所述第二层的厚度大于0纳米且小于2纳米。