[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

具有C表面的衬底；

n型半导体层，其被设置在所述C表面上且包含氮化物半导体；

p型半导体层，其包含氮化物半导体；

发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括：

势垒层，其包含In_bGa_1-bN(0≤b<1)并具有层厚度t_b(纳米)；以及

阱层，其与所述势垒层层叠，包含In_wGa_1-wN(0<w<1，b<w)并具有层厚度t_w(纳米)；以及

层叠体，其被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括：

第一层，其包含In_xGa_1-xN(0≤x<1)并具有层厚度t_x(纳米)；以及

第二层，其与所述第一层层叠，包含In_yGa_1-yN(0<y<1，x<y<w)并具有层厚度t_y(纳米)，

所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍且不高于所述发光部的平均In组成比的0.7倍，假设所述发光部的所述平均In组成比为(w×t_w+b×t_b)/(t_w+t_b)，所述层叠体的所述平均In组成比为(x×t_x+y×t_y)/(t_x+t_y)，并且

所述势垒层的所述层厚度t_b为10nm或更小，

所述层叠体的厚度等于或大于所述发光部的厚度，

所述第一层的厚度大于1纳米且小于3纳米，

所述第二层的厚度大于0纳米且小于2纳米。

2.根据权利要求1所述的器件，其中

所述第一层被设置为多个，

所述第二层被设置为多个，并且

所述多个第一层和所述多个第二层交替地层叠。

3.根据权利要求1所述的器件，其中

所述势垒层被设置为多个，且所述多个势垒层彼此层叠，并且

所述阱层被设置为多个，且所述多个阱层中的每一个位于所述多个势垒层之间。

4.根据权利要求1所述的器件，其中包含In的所述势垒层具有的In组成比低于所述阱层的In组成比。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二层具有的In组成比高于所述第一层的In组成比。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二层具有的In组成比低于所述阱层的In组成比。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层具有的In组成比低于所述阱层的In组成比。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述势垒层的所述层厚度t_b为5纳米或更小。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述n型半导体层沿着与c轴等同的轴生长。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述n型半导体层被设置在具有与C表面等同的面的衬底上。