[发明专利]原位金属硬掩模形状控制的脉冲电介质蚀刻工艺有效
| 申请号： | 201410188505.5 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143521B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 阿南塔·因德拉坎提;巴哈斯卡·拉嘎海拉瓦;艾伦·詹森;汤姆·乔伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种原位金属硬掩模形状控制的脉冲电介质蚀刻工艺，具体而言，一体化沟槽在通孔上(TOV)蚀刻，其中含有氮化钛的材料的金属硬掩模下的低k材料的蚀刻是在交替以下步骤进行的：(a)在保持卡盘的温度在约45℃至80℃时，蚀刻低k材料，以及(b)在保持卡盘的温度在约90至130℃时，金属硬掩模圆整和Ti基残留物去除。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 金属 硬掩模 形状 控制 脉冲 电介质 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻多层膜堆叠中自对准的通孔和沟槽的方法，该多层膜堆叠由在等离子体处理装置中的温度受控的静电卡盘支承，其中在所述自对准的通孔和沟槽的蚀刻期间所述温度受控的静电卡盘调节所述多层膜堆叠的温度，所述方法包括交替以下步骤：(a)在保持所述温度受控的静电卡盘在45至80℃下时，蚀刻含氮化钛材料的金属硬掩模(MHM)下的低k材料，以及(b)在保持所述温度受控的静电卡盘在90至130℃下时，MHM圆整和去除Ti基残留物，并重复步骤(a)和(b)至少一次，其中重复步骤(a)中的所述低k材料和所述金属硬掩模与原始步骤(a)中的所述低k材料和所述金属硬掩模相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
