[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410188400.X | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143973B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | G·诺鲍尔;C·卡陶;D·迪布拉;R·伊玲 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。开关组件包括控制元件和集成电路。集成电路包括第一晶体管元件和并联地电连接到第一晶体管元件的第二晶体管元件。第一晶体管元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电极设置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中。第二晶体管元件包括第二晶体管以及与在第二沟槽中的栅极电极接触的第二栅极导电线，所述第二晶体管的栅极电极设置在第一主表面中的第二沟槽中。控制元件被配置为控制施加到第二栅极导电线的电势。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括控制元件和集成电路的开关部件，所述集成电路包括：第一晶体管元件，所述第一晶体管元件包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电极安置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中；以及第一栅极导电线，所述第一栅极导电线与所述第一沟槽中的所述栅极电极接触；和第二晶体管元件，所述第二晶体管元件并联地电连接到所述第一晶体管元件，所述第二晶体管元件包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极电极安置在所述第一主表面中的第二沟槽中；以及第二栅极导电线，所述第二栅极导电线与所述第二沟槽中的所述栅极电极接触，其中所述第一沟槽和所述第二沟槽布置在所述第一主表面的不同区域处，并且其中所述控制元件配置为控制施加到所述第二栅极导电线的电势。
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