[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种包括控制元件和集成电路的开关部件，所述集成电路包括：

第一晶体管元件，所述第一晶体管元件包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极电极安置在半导体衬底的第一主表面中的第一沟槽中；以及

第一栅极导电线，所述第一栅极导电线与所述第一沟槽中的所述栅极电极接触；和

第二晶体管元件，所述第二晶体管元件并联地电连接到所述第一晶体管元件，所述第二晶体管元件包括：

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极电极安置在所述第一主表面中的第二沟槽中；以及

第二栅极导电线，所述第二栅极导电线与所述第二沟槽中的所述栅极电极接触，

其中所述第一沟槽和所述第二沟槽布置在所述第一主表面的不同区域处，并且

其中所述控制元件配置为控制施加到所述第二栅极导电线的电势。

2.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述第一晶体管元件和所述第二晶体管元件电耦合到公共源极端子和公共漏极端子，并且所述控制元件配置为基于所述公共源极端子与所述公共漏极端子之间的电势来控制施加到所述第二栅极导电线的所述电势。

3.根据权利要求2所述的开关部件，其中所述控制元件配置为当所述公共源极端子与所述公共漏极端子之间的所述电势大于第一开关电压时关断所述第二晶体管元件，并且当所述公共源极端子与所述公共漏极端子之间的所述电势小于第二开关电压时导通所述第二晶体管元件。

4.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述第一晶体管元件和所述第二晶体管元件电耦合到公共源极端子和公共漏极端子，所述第一沟槽中的栅极电极与第一栅极导电线接触，所述第一栅极导电线与第一栅端子电连接，并且所述控制元件配置为基于所述第一栅端子与所述公共漏极端子之间的电势来控制施加到所述第二栅极导电线的所述电势。

5.根据权利要求4所述的开关部件，其中所述控制元件配置为当所述第一栅端子与所述公共漏极端子之间的所述电势大于第一开关电压时关断所述第二晶体管元件，并且当所述第一栅端子与所述公共漏极端子之间的所述电势小于第二开关电压时导通所述第二晶体管元件。

6.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述第一晶体管元件和所述第二晶体管元件电耦合到公共源极端子和公共漏极端子，所述第一沟槽中的栅极电极与第一栅极导电线接触，所述第一栅极导电线与第一栅端子电连接，并且所述控制元件配置为基于所述第一栅端子与所述公共漏极端子之间的电势、并进一步基于所述公共源极端子与所述公共漏极端子之间的电势来控制施加到所述第二栅极导电线的所述电势。

7.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述控制元件是所述集成电路的部件。

8.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述控制元件是与所述集成电路分开的部件。

9.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述第一和第二沟槽以交替的方式布置。

10.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述第一和第二沟槽在结构上相同。

11.根据权利要求1所述的开关部件，其中所述控制元件的部件在所述半导体衬底中形成。

12.根据权利要求1所述的开关部件，进一步包括电流传感器，其中所述控制元件配置为基于从所述电流传感器所输出的信号来设定施加到所述第二栅极导电线的所述电势。

13.根据权利要求12所述的开关部件，其中所述控制元件配置为当由所述电流传感器所测量的电流超过开关电流时关断所述第二晶体管元件。