[发明专利]鳍式场效应晶体管SRAM的结构和方法

摘要

本发明提供了一种嵌入式FinFET SRAM结构及其制造方法。该嵌入式FinFET SRAM结构包括SRAM单元的阵列。该SRAM单元具有沿第一方向的第一间距和沿第二方向的第二间距，其中第二方向垂直于第一方向。第一和第二间距被配置为以便SRAM单元的鳍式有源线和栅极部件与外围逻辑电路的鳍式有源线和栅极部件对准。SRAM结构的布局包括三层，其中，第一层限定了用于形成鳍的芯轴图案，第二层限定了用于去除伪鳍的第一切割图案，和第三层限定了用于缩短鳍端的第二切割图案。这三层共同地限定了SRAM结构的鳍式有源线。

主权项

一种集成电路IC布局，包括：第一矩形区域，其中，所述第一矩形区域具有沿第一方向的较长边和沿第二方向的较短边，所述第二方向垂直于所述第一方向；并且沿所述第一方向穿过所述第一矩形区域的几何中心的第一虚线和沿所述第二方向穿过所述几何中心的第二虚线以逆时针顺序将所述第一矩形区域划分为第一子区域、第二子区域、第三子区域和第四子区域，所述第一子区域位于所述第一矩形区域的右上部分处；至少八个第一图案，位于所述IC布局的第一层中，其中，每个所述第一图案均为沿所述第二方向在所述第一矩形区域上方纵向地延伸的矩形形状；所述第一图案沿所述第一方向彼此地间隔开；所述第一图案的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分分别与所述第一子区域、所述第二子区域、所述第三子区域和所述第四子区域重叠；所述第一图案的第一部分和第二部分为所述第一图案的相应的第四部分和第三部分关于所述第一虚线的镜像；并且所述第一图案的第一部分和第四部分为所述第一图案的相应的第二部分和第三部分的平移；至少八个第二图案，位于所述IC布局的第二层中，其中，每个所述第二图案均为沿所述第二方向纵向地延伸的矩形形状，所述第二图案沿所述第一方向彼此间隔开，当所述第一层与所述第二层叠置时，每个所述第二图案均与所述第一图案中的一个部分地重叠并完全覆盖相应的第一图案的较长边；以及多个第三图案，位于所述IC布局的第三层中，其中，每个所述第三图案均为矩形形状，所述第三图案彼此间隔开，当所述第一层、所述第二层和所述第三层叠置时，每个所述第三图案均与所述第一图案中的一个部分地重叠并覆盖所述相应的第一图案中未被所述第二图案覆盖的较长边的一部分，其中：所述第一图案、所述第二图案和所述第三图案用于共同地限定多个有源区域以形成晶体管；并且当所述第一层、所述第二层和所述第三层叠置时，沿着所述第一图案中未被所述第二图案和所述第三图案覆盖的较长边限定所述多个有源区域。