[发明专利]一种MEMS器件的制备方法有效
| 申请号： | 201410184910.X | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105084297B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 马军德;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件的制备方法，包括提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；对所述MEMS晶圆进行预清洗；对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法中在选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗之后，选用HDMS或者ECK对所述MEMS晶圆进行清洗，以将所述MEMS晶圆表面的接合焊盘由疏水性变为亲水性，以防止在后面的切割过程中硅灰尘落在所述接合焊盘上难以清除的问题，解决了现有技术中由于接合焊盘上由于硅灰尘存在导致封装失败的问题，提高了MEMS器件的性能以及产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；对所述MEMS晶圆进行预清洗；对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性，所述亲水性处理为选用六甲基二硅氮烷或EKC对所述MEMS晶圆进行清洗。
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