[发明专利]一种MEMS器件的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种MEMS器件的制备方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在各种传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

现有技术MEMS的制备过程以及封装过程如图1a-1c所示，首先提供MEMS晶圆101，在所述MEMS晶圆101上形成有各种传感器器件，在所述MEMS晶圆101上还形成有Al焊盘，用于在形成所述MEMS器件后进行封装。然后所述MEMS晶圆101和覆盖层晶圆102相接合以形成MEMS器件，在接合之前，通常选用DHF对所述MEMS晶圆101进行预清洗，以使所述MEMS晶圆101变为疏水性。

在将所述MEMS晶圆101和覆盖层晶圆102接合之后对所述MEMS器件的晶圆进行划片(Dicing)，逐一切割成电路体系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)单位，在切割过程中上方覆盖层晶圆102在切割过程中形成的硅灰尘(Sidust)会落在下方的MEMS晶圆101上，而且硅灰尘(Sidust)很难被清除，特别是对于MEMS晶圆101中的Al焊盘，由于所述Al焊盘为疏水性(hydrophobicproperty)的，所以落在所述Al焊盘上的硅灰尘(Sidust)会对后续的封装过程造成影响，使封装过程不能失败，降低器件的良率。

因此现有技术中制备MEMS器件的过程中会对MEMS晶圆上的焊盘造成影响，虽然可以通过调节能够减少硅灰尘(Sidust)的产生，但是效果并不明显，所以需要对目前的MEMS器件制备方法进行改进，以便能够消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括：

提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；

对所述MEMS晶圆进行预清洗；

对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性。

作为优选，对所述MEMS晶圆进行亲水性处理之后，所述方法还进一步包括将所述MEMS晶圆进行干燥的步骤。

作为优选，选用异丙醇对所述MEMS晶圆进行干燥。

作为优选，选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗。

作为优选，所述亲水性处理为选用六甲基二硅氮烷或EKC对所述MEMS晶圆进行清洗。

作为优选，所述方法还进一步包括以下步骤：

提供覆盖层；

将所述覆盖层和所述MEMS晶圆接合，以得到MEMS晶圆叠层。

作为优选，所述方法还进一步包括对所述MEMS晶圆叠层进行切割的步骤。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法中在选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗之后，选用HDMS或者ECK对所述MEMS晶圆进行清洗，以将所述MEMS晶圆表面的接合焊盘由疏水性变为亲水性，以防止在后面的切割过程中硅灰尘落在所述接合焊盘上难以清除的问题，解决了现有技术中由于接合焊盘上由于硅灰尘存在导致封装失败的问题，提高了MEMS器件的性能以及产品的良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1a-1c为现有技术中所述MEMS器件的制备过程示意图；

图2a-2c为本发明一具体实施方式中所述MEMS器件的制备过程示意图；

图3为本发明一具体实施方式中所述MEMS器件的制备工艺流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。