[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括提供衬底，衬底包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的第二半导体层，衬底具有第一区域、第二区域和第三区域，第二区域与第一区域和第三区域相邻接，其中，第一区域和第三区域的绝缘层厚度大于第二区域的绝缘层厚度，第一区域、第二区域和第三区域的绝缘层底部表面齐平；在第二区域的第二半导体层表面形成栅极结构；在栅极结构两侧的第一区域和第三区域第二半导体层内形成掺杂区。本发明栅极结构下方的绝缘层厚度小于掺杂区下方的绝缘层厚度，由于栅极结构下方的绝缘层有效电阻较小，因此能够有效改善半导体器件的阈值电压。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的第二半导体层，所述衬底具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域与第一区域和第三区域相邻接，其中，第一区域和第三区域的绝缘层厚度大于第二区域的绝缘层厚度，第一区域、第二区域和第三区域的绝缘层底部表面齐平，且第一区域、第二区域和第三区域的第二半导体层顶部表面齐平；在所述第二区域的第二半导体层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的第一区域和第三区域第二半导体层内形成掺杂区；其中，所述衬底的形成步骤包括：提供具有第一区域、第二区域和第三区域的基底，所述基底包括第三半导体层、位于第三半导体层表面的绝缘膜、以及位于绝缘膜表面的第四半导体层；在所述基底表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀去除第二区域的第四半导体层以及部分厚度的绝缘膜，在所述第二区域形成凹槽，剩余的绝缘膜作为衬底的绝缘层；形成填充满所述凹槽的第五半导体层，第三半导体层、绝缘层以及第五半导体层共同组成衬底。