[发明专利]具有含有一对、两对或多对补偿层的超级结结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201410182811.8 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104134693B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | S·加梅里斯;A·威尔梅洛斯;F·希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式公开了具有含有一对、两对或多对补偿层的超级结结构的半导体器件。一种超级结半导体器件包括具有从基部区段突出的台面区域的半导体部分。台面区域在平行于半导体部分的第一表面的横向方向上在空间上分离。具有第一导电类型的至少两个第一补偿层和互补的第二导电类型的至少两个第二补偿层的补偿结构可以覆盖台面区域的侧壁以及基部区段的在台面区域之间部分。补偿结构的片段的掩埋侧面可以切割台面区域之间的第一和第二补偿层。第一导电类型的漏极连接结构可以沿着掩埋侧面延伸并且可以以经济方式在结构上连接第一补偿层，从而保持热预算低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 含有 一对 补偿 超级 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件，包括：半导体部分，包括台面区域，所述台面区域从基部区段突出并且在平行于所述半导体部分的第一表面的横向方向上在空间上分离；补偿结构，包括第一导电类型的至少两个第一补偿层以及互补的第二导电类型的至少两个第二补偿层，所述补偿结构至少覆盖所述台面区域的侧壁以及所述基部区段的在所述台面区域之间的部分，其中所述补偿结构的片段的掩埋侧面切割在所述台面区域之间的所述第一补偿层和所述第二补偿层；以及所述第一导电类型的漏极连接结构，沿着所述掩埋侧面延伸并且在结构上连接所述第一补偿层。
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