[发明专利]具有含有一对、两对或多对补偿层的超级结结构的半导体器件

权利要求书

1.一种超级结半导体器件，包括：

半导体部分，包括台面区域，所述台面区域从基部区段突出并且在平行于所述半导体部分的第一表面的横向方向上在空间上分离；

补偿结构，包括第一导电类型的至少两个第一补偿层以及互补的第二导电类型的至少两个第二补偿层，所述补偿结构至少覆盖所述台面区域的侧壁以及所述基部区段的在所述台面区域之间的部分，其中所述补偿结构的片段的掩埋侧面切割在所述台面区域之间的所述第一补偿层和所述第二补偿层；以及

所述第一导电类型的漏极连接结构，沿着所述掩埋侧面延伸并且在结构上连接所述第一补偿层。

2.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述漏极连接结构在垂直于所述第一表面的垂直方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述台面区域的所述侧壁垂直于所述第一表面。

4.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述漏极连接结构具有所述第一导电类型，并且所述漏极连接结构与所述第一补偿层的最外层具有相同的厚度和杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，进一步包括直接邻接所述补偿结构的电介质层。

6.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述补偿层中的最外侧的补偿层具有所述第一导电类型。

7.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述补偿层中的最外侧的补偿层具有所述第二导电类型，并且所述补偿层中的所述最外侧的补偿层的区段覆盖所述漏极连接结构。

8.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中所述补偿结构包括至少一个本征层，所述至少一个本征层分离所述第二补偿层中的一个第二补偿层与所述第一补偿层中的一个第一补偿层。

9.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，进一步包括所述第一导电类型的杂质层，所述杂质层形成在所述台面区域与所述半导体部分的与所述第一表面相对的第二表面之间，其中所述漏极连接结构在结构上连接所述杂质层与所述第一补偿层。

10.根据权利要求1所述的超级结半导体器件，其中

所述补偿结构覆盖所述台面区域的端面的部分，

所述补偿结构的片段的表面侧面切割在所述台面区域的垂直投影中的所述第一补偿层和所述第二补偿层，以及

所述超级结半导体器件包括所述第二导电类型的本体区域，所述本体区域沿着所述表面侧面延伸并且在结构上连接在所述表面侧面的第一区段中的所述第二补偿层，所述第一补偿层和所述第二补偿层直接邻接在所述表面侧面的第二区段中的栅极电介质。

11.根据权利要求10所述的超级结半导体器件，包括：

栅极电极以及将所述栅极电极与所述表面侧面分离的栅极电介质；以及

所述第一导电类型的源极区域，沿着所述栅极电介质从所述补偿结构的表面延伸到在所述台面区域的所述垂直投影中的所述补偿结构中。

12.根据权利要求10所述的超级结半导体器件，其中所述半导体部分包括包含所述台面区域的单元区域以及在相对于所述第一表面的横向方向上围绕所述单元区域的边缘区域，所述边缘区域包括终止区域，所述终止区域与所述台面区域中的最近的台面区域之间的距离大于相邻台面区域之间的距离。

13.根据权利要求12所述的超级结半导体器件，其中在阻断模式下，被施加在第一电极与第二电极之间的电势在垂直于所述单元区域中的所述第一表面的垂直方向上以及在与所述终止区域和所述最近的台面区域之间的垂直方向倾斜的方向上被调节，所述第一电极直接接触所述第一表面，所述第二电极直接接触所述半导体部分的与所述第一表面相对的第二表面。