[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置有效
| 申请号： | 201410182783.X | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103985637B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 田慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和一种显示装置，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行图案化处理，形成有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层，并对所述栅绝缘层和有源层进行氢化处理。采用本发明技术方案，在栅绝缘层制作完成之后，直接对栅绝缘层和有源层进行氢化处理，氢只需穿过栅绝缘层到达栅绝缘层和有源层的界面对悬挂键进行钝化，并修补有源层的晶界缺陷，大大缩短了氢扩散的距离，减少了氢化工艺的时间，进而大大降低了薄膜晶体管的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行图案化处理，形成有源层；在所述有源层上形成栅绝缘层，在260～400℃的温度条件下采用氮氢比为1:1～1:10的氮氢混合等离子体对所述栅绝缘层和所述有源层进行氢化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
