[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行图案化处理，形成有源层；

在所述有源层上形成栅绝缘层，并对所述栅绝缘层和有源层进行氢化处理。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，对所述栅绝缘层和有源层进行氢化处理具体为：在260～400℃的温度条件下采用氮氢混合等离子体对栅绝缘层和有源层进行氢化处理。

3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氮氢混合等离子体为氨等离子体。

4.如权利要求1～3任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述有源层上形成栅绝缘层，并对所述栅绝缘层和有源层进行氢化处理，具体包括：

在等离子体增强化学气相沉积设备中，在所述有源层上沉积栅绝缘层；

对沉积后的栅绝缘层进行退火处理，在对沉积后的栅绝缘层进行退火处理的过程中，对栅绝缘层和有源层进行氢化处理。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述栅绝缘层上形成栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理形成栅极；

以栅极为掩膜对有源层进行离子注入，形成源极区域和漏极区域；

形成覆盖所述栅极和栅极绝缘层的层间介质层；

对层间介质层和栅绝缘层进行图案化处理，形成位于源极区域和漏极区域上方的接触孔；

在层间介质层上形成源漏金属层，并对源漏金属层进行图案化处理形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过接触孔与源极区域和漏极区域电连接。

6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板上形成多晶硅薄膜具体包括：

在基板上形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行固相晶化或准分子激光退火，形成多晶硅薄膜。

7.如权利要求6所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板上形成非晶硅薄膜之前，还包括：在基板上形成缓冲层。

8.如权利要求7所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜和缓冲层分别采用等离子体增强化学气相沉积形成。

9.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1～8任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法得到。

10.一种显示装置，其特征在于，包括具有呈阵列分布的多个薄膜晶体管的阵列基板，所述薄膜晶体管采用如权利要求1～8任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法得到。