[发明专利]半导体器件的标准单元

摘要

本发明涉及半导体器件的标准单元。半导体器件的标准单元具有第一和第二相对边界以及第三和第四相对边界，并且包括形成于半导体衬底内的第一有源区域和第二有源区域。所述第一有源区域和第二有源区域是分别与所述第一边界和第二边界的第一预定距离(a)。栅电极形成于所述第一有源区域和第二有源区域之上。第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层沿着所述第三边界形成，并且分别是与所述第一边界和第二边界的第一预定距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第二预定距离(b)。第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层沿着所述第四边界形成，并且分别是与所述第一边界和第二边界的第一预定距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第三预定距离(b')。

主权项

1.一种半导体器件，包括：矩形标准单元，所述矩形标准单元被限定在半导体衬底内并且具有第一边界、第二边界、第三边界和第四边界，其中所述第一边界和第二边界处于所述标准单元的相对端上，并且其中所述第三边界和第四边界处于所述标准单元的相对端上，所述标准单元包括：多个有源区域，所述多个有源区域包括形成于所述半导体衬底内的第一有源区域和第二有源区域，并且分别具有与所述第一边界和第二边界的第一间隔距离(a)；至少一个栅电极条，所述至少一个栅电极条形成于所述第一有源区域和第二有源区域之上；第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层，所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层沿着所述第三边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第二间隔距离(b)；所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层具有关于所述第三边界对称的宽度；以及第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层，所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层沿着所述第四边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第三间隔距离(b')。