[发明专利]半导体器件的标准单元

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

矩形标准单元，所述矩形标准单元被限定在半导体衬底内并且具有第一边界、第二边界、第三边界和第四边界，其中所述第一边界和第二边界处于所述标准单元的相对端上，并且其中所述第三边界和第四边界处于所述标准单元的相对端上，所述标准单元包括：

多个有源区域，所述多个有源区域包括形成于所述半导体衬底内的第一有源区域和第二有源区域，并且分别具有与所述第一边界和第二边界的第一间隔距离(a)；

至少一个栅电极条，所述至少一个栅电极条形成于所述第一有源区域和第二有源区域之上；

第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层，所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层沿着所述第三边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第二间隔距离(b)；所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层具有关于所述第三边界对称的宽度；以及

第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层，所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层沿着所述第四边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第一有源区域和第二有源区域的第三间隔距离(b')。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括浅槽隔离(STI)区域，所述浅槽隔离(STI)区域在所述第一有源区域和所述第一虚拟扩散层和第三虚拟扩散层之间、以及在所述第二有源区域和所述第二虚拟扩散层和第四虚拟扩散层之间填充。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层具有关于所述第四边界对称的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区域和第二有源区域具有相反导电性。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述至少一个栅电极条和所述第一有源区域形成了第一金属氧化物半导体(MOS)器件，并且所述至少一个栅电极条和所述第二有源区域形成了第二MOS器件。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一金属氧化物半导体(MOS)器件和第二MOS器件各自包括P-类型MOS(PMOS)器件和N-类型MOS(NMOS)器件中的至少一个。

7.一种半导体器件，包括：

矩形标准单元，所述矩形标准单元被限定在半导体衬底内并且具有第一边界、第二边界、第三边界和第四边界，其中所述第一边界和第二边界处于所述标准单元的相对端上，并且所述第三边界和第四边界处于所述标准单元的相对端上，所述标准单元包括：

多对有源区域，所述多对有源区域包括形成于所述半导体衬底内的第一对有源区域和第二对有源区域，其中每一对有源区域包括分别具有与所述第一边界和第二边界的第一间隔距离(a)的第一有源区域和第二有源区域；

至少一个栅电极条，所述至少一个栅电极条形成于所述第一对有源区域和第二对有源区域中的每一个之上；

第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层，所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层沿着所述第三边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第一对有源区域的第二间隔距离(b)；所述第一虚拟扩散层和第二虚拟扩散层具有关于所述第三边界对称的宽度；以及

第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层，所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层形成于所述半导体衬底内，其中所述第三虚拟扩散层和第四虚拟扩散层沿着所述第四边界延伸并且分别具有与所述第一边界和第二边界的所述第一间隔距离(a)和与所述第二对有源区域的第三间隔距离(b')。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括浅槽隔离(STI)区域，所述浅槽隔离(STI)区域在所述第一对有源区域和所述第一虚拟扩散层和第三虚拟扩散层之间、以及在所述第二对有源区域和所述第二虚拟扩散层和第四虚拟扩散层之间填充。