[发明专利]一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法

摘要

本发明提供了一种锶掺杂的LaVO₃纳米线及其气敏传感器的制备方法，主要包括以下步骤：按照一定的体积比，在偏钒酸铵溶液中按顺序加入硝酸锶溶液和硝酸镧溶液，得到的混合液用氨水调节PH至4-6.5；得到的混合液转移至水热釜中，并置于烘箱中160℃反应16h，得到的产物置于真空烘箱中干燥，得到锶掺杂的LaVO₄前驱体；将锶掺杂的LaVO₄前驱体放入管式炉中，在650℃、氢气气氛下热处理2h，随炉降温得到锶掺杂的LaVO₃纳米线。本发明得到的锶掺杂的LaVO₃纳米线很长，在常温下对氨气有明显的响应，制得的气敏传感器电阻随温度变化小，有效避免了温度变化带来的误差，稳定性好。

主权项

一种锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，包括以下步骤：步骤1：配制前驱液：将偏钒酸铵粉末加入水中，在45—50℃下搅拌溶解，得到偏钒酸铵溶液；将硝酸镧粉末溶于水中，得到硝酸镧溶液；将硝酸锶粉末溶于水中，得到硝酸锶溶液；步骤2：在步骤1得到的偏钒酸铵溶液中，按顺序分别加入步骤1得到的硝酸锶溶液和硝酸镧溶液，其中偏钒酸铵溶液、硝酸锶溶液、硝酸镧溶液的体积比为5:4:1，得到的混合液用氨水调节PH至4‑6.5；步骤3：将步骤2得到的混合液转移至水热釜并放置于烘箱中，升温至160℃保持16h，自然降温后过滤，过滤得到的产物用水和乙醇洗涤，然后置于真空烘箱中60‑80℃干燥8‑16h，得到锶掺杂的LaVO₄前驱体；步骤4：将步骤3得到的锶掺杂的LaVO₄前驱体置于坩埚中并放入管式炉，在650℃、还原气氛下热处理2h，然后随炉降温得到锶掺杂的LaVO₃纳米线。