[发明专利]一种锶掺杂的LaVO3纳米线及其气敏传感器的制备方法

权利要求书

1.一种锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：配制前驱液：将偏钒酸铵粉末加入水中，在45—50℃下搅拌溶解，得到偏钒酸铵溶液；将硝酸镧粉末溶于水中，得到硝酸镧溶液；将硝酸锶粉末溶于水中，得到硝酸锶溶液；

步骤2：在步骤1得到的偏钒酸铵溶液中，按顺序分别加入步骤1得到的硝酸锶溶液和硝酸镧溶液，其中偏钒酸铵溶液、硝酸锶溶液、硝酸镧溶液的体积比为5:4:1，得到的混合液用氨水调节PH至4-6.5；

步骤3：将步骤2得到的混合液转移至水热釜并放置于烘箱中，升温至160℃保持16h，自然降温后过滤，过滤得到的产物用水和乙醇洗涤，然后置于真空烘箱中60-80℃干燥8-16h，得到锶掺杂的LaVO₄前驱体；

步骤4：将步骤3得到的锶掺杂的LaVO₄前驱体置于坩埚中并放入管式炉，在650℃、还原气氛下热处理2h，然后随炉降温得到锶掺杂的LaVO₃纳米线。

2.根据权利要求1所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，其特征在于，步骤1中所述偏钒酸铵溶液、硝酸镧溶液的浓度为0.012mol/L，硝酸锶溶液的浓度为0.006mol/L。

3.根据权利要求1所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，其特征在于，步骤3中所述升温至160℃具体过程为：在30min内从室温升高至160℃。

4.根据权利要求1所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的还原气氛为6％的氢气与94％的氮气或氩气的混合气体。

5.根据权利要求1所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的热处理过程：在180min内从室温升至650℃，在650℃下保持2h。

6.一种锶掺杂的LaVO₃纳米线气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：将表面氧化的硅片的上表面洗净，然后在洗净后的表面氧化的硅片上制备叉指电极；

步骤2：将锶掺杂的LaVO₃纳米线分散至乙醇中制成悬浮液，然后将悬浮液滴在叉指电极上，放入烘箱中加热烘干。

7.根据权利要求6所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线气敏传感器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述表面氧化的硅片为300nm SiO₂/Si。

8.根据权利要求6所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线气敏传感器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述制备叉指电极的方法为光刻、真空磁控溅射、剥离。

9.根据权利要求6所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线气敏传感器的制备方法，其特征在于，步骤1中所述叉指电极为金叉指电极。

10.根据权利要求6所述的锶掺杂的LaVO₃纳米线气敏传感器的制备方法，其特征在于，步骤2中所述烘干温度为60℃。