[发明专利]一种传输晶体管结构

摘要

一种增强CMOS图像传感器输出信号的传输晶体管结构，包括光电二极管，P型硅基，漏端，绝缘层，多晶硅栅，导电沟道和重掺杂区域；传输晶体管的光电二极管既作为单一的光电转化二极管负责光信号向电信号的转变，同时也作为CMOS图像传感器结构中负责电子传送的传输晶体管的源端与传输晶体管直接连接；在光电二极管靠近传输晶体管多晶硅栅处进行一道结深为0.12～0.18um的离子注入，且注入的掺杂离子浓度高于光电二极管原来已经注入的掺杂离子浓度；本发明在CMOS图像传感器输出信号时，能够避免出现导电沟道的过早夹断，把尽可能多的光电子传出，以提升CMOS图像传感器电信号的输出强度。

主权项

一种增强CMOS图像传感器输出信号的传输晶体管结构，包括光电二极管(1)、P型硅基(8)、漏端(9)、绝缘层(10)和多晶硅栅(11)；所述的光电二极管(1)作为传输晶体管(2)的源端，所述源端和漏端(9)在P型硅基(8)上形成NPN结，所述光电二极管(1)、P型硅基(8)、漏端(9)、绝缘层(10)和多晶硅栅(11)应用在CMOS图像传感器中，所述的CMOS图像传感器还包括放大器(5)、复位管(4)、电容(3)、选通器(6)、V_TX电源、V_RX电源、V_DD电源和V_SX电源，所述的传输晶体管(2)漏端(9)与放大器(5)的栅极和复位管(4)的源极相连，所述的传输晶体管(2)的晶硅栅与电源V_TX相连；所述的传输晶体管(2)的光电二极管(1)既作为单一的光电转化二极管负责光信号向电信号的转变，同时也作为CMOS图像传感器结构中负责电子传送的传输晶体管(2)的源端与传输晶体管(2)直接连接；光照射入光电二极管(1)并转化为光电子，光电子经传输晶体管(2)进入电路并存储在电容(3)，随后经放大器(5)和选通器(6)输出，以完成光信号的整个转化和输出；其特征在于，在传输晶体管(2)的光电二极管(1)区域还包括一层利用注入法注入的同型浅结重掺杂。