[发明专利]一种传输晶体管结构

权利要求书

1.一种增强CMOS图像传感器输出信号的传输晶体管结构，包括光电二极管(1)、P型硅基(8)、漏端(9)、绝缘层(10)和多晶硅栅(11)；所述的光电二极管(1)作为传输晶体管(2)的源端，所述源端和漏端(9)在P型硅基(8)上形成NPN结，所述光电二极管(1)、P型硅基(8)、漏端(9)、绝缘层(10)和多晶硅栅(11)应用在CMOS图像传感器中，所述的CMOS图像传感器还包括放大器(5)、复位管(4)、电容(3)、选通器(6)、V_TX电源、V_RX电源、V_DD电源和V_SX电源，所述的传输晶体管(2)漏端(9)与放大器(5)的栅极和复位管(4)的源极相连，所述的传输晶体管(2)的晶硅栅与电源V_TX相连；所述的传输晶体管(2)的光电二极管(1)既作为单一的光电转化二极管负责光信号向电信号的转变，同时也作为CMOS图像传感器结构中负责电子传送的传输晶体管(2)的源端与传输晶体管(2)直接连接；光照射入光电二极管(1)并转化为光电子，光电子经传输晶体管(2)进入电路并存储在电容(3)，随后经放大器(5)和选通器(6)输出，以完成光信号的整个转化和输出；其特征在于，在传输晶体管(2)的光电二极管(1)区域还包括一层利用注入法注入的同型浅结重掺杂。

2.根据权利要求1所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述重掺杂区域(13)的结深为0.12～0.18um。

3.根据权利要求1所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述的注入法为离子注入法。

4.根据权利要求1所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述的重掺杂区域(13)呈长方体或者正方体布置，其一侧面与光电二极管(1)靠近漏极的一侧面重合。

5.根据权利要求4所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述重掺杂区域(13)与光电二极管(1)区域重合的侧面位于所述光电二极管(1)侧面的中间部位。

6.根据权利要求1所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述重掺杂区域(13)所注入的掺杂离子浓度高于光电二极管(1)原来已经注入的掺杂离子浓度。

7.根据权利要求1所述的传输晶体管结构，其特征在于，所述重掺杂区域(13)在传输晶体管(2)上表面的宽度不大于漏端(9)的宽度。