[发明专利]多晶硅膜层形貌的形成方法有效
| 申请号： | 201410174829.3 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103943486B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王伟军;奚鹏程;杨冰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅膜层形貌的形成方法，属于半导体技术领域。其包括：在衬底上形成一栅极氧化层，并在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层；对所述栅极氧化层之上的多晶硅膜层进行掺杂处理；根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布，对掺杂处理后的多晶硅膜层进行刻蚀处理，以形成均匀的多晶硅栅极形貌。本发明中，根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布通过调节刻蚀气体的流量比或分步刻蚀，影响横向刻蚀程度，从而减轻或消除多晶条的窄边情况，获得纵向宽度均匀一致的多晶线条，有利于后续工艺的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅膜层 形貌 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅膜层形貌的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成一栅极氧化层，并在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层；对所述栅极氧化层之上的多晶硅膜层进行掺杂处理，掺杂之后的多晶硅膜层中不同深度对应不同的掺杂浓度分布，确定掺杂浓度极值的深度；根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布，通过调节刻蚀气体的流量比，对掺杂处理后的多晶硅膜层进行不同刻蚀气体比例的刻蚀处理，以控制横向刻蚀程度，最终形成纵向上宽度均匀且侧壁平直的多晶硅膜层形貌，其中，所述刻蚀气体包括HBr和Cl2，将HBr/Cl2流量比最大值设置在浓度极大值附近，以维持刻蚀速率的稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
