[发明专利]多晶硅膜层形貌的形成方法

权利要求书

1.一种多晶硅膜层形貌的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成一栅极氧化层，并在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层；

对所述栅极氧化层之上的多晶硅膜层进行掺杂处理，掺杂之后的多晶硅膜层中不同深度对应不同的掺杂浓度分布，确定掺杂浓度极值的深度；

根据掺杂处理后多晶硅膜层的掺杂浓度分布，通过调节刻蚀气体的流量比，对掺杂处理后的多晶硅膜层进行不同刻蚀气体比例的刻蚀处理，以控制横向刻蚀程度，最终形成纵向上宽度均匀且侧壁平直的多晶硅膜层形貌，其中，所述刻蚀气体包括HBr和Cl₂，将HBr/Cl₂流量比最大值设置在浓度极大值附近，以维持刻蚀速率的稳定。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成一栅极氧化层包括：对所述衬底进行热氧化形成所述栅极氧化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层包括：通过低压化学气相淀积在所述栅极氧化层之上形成一多晶硅膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对多晶硅膜层进行掺杂处理包括：通过离子注入掺杂元素，完成对多晶硅膜层的掺杂处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对掺杂处理后的多晶硅膜层进行刻蚀处理包括：对掺杂处理后的多晶硅膜层进行主刻蚀处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，保持刻蚀气体总流量稳定，调节各刻蚀气体组分的流量来调节刻蚀气体的流量比。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对掺杂处理后的多晶硅膜层进行刻蚀处理包括：通过分步刻蚀对掺杂处理后的多晶硅膜层进行刻蚀处理。

8.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，所述对掺杂处理后的多晶硅膜层进行刻蚀处理包括轰击、过刻蚀处理。