[发明专利]鳍式场效晶体管中栅极的分离方法有效
| 申请号： | 201410174584.4 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928349B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其包括在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；以及去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。本发明中，在分离栅极时，由于在前期结构中增加了牺牲层，可以准确的控制刻蚀的准确度，避免对结构的损伤，从而可以降低自对准的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 栅极 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其特征在于，包括：在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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