[发明专利]鳍式场效晶体管中栅极的分离方法

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法，其特征在于，包括：

在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层，并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层；

对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨，并停止于所述鳍的保护层；

有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩；

通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩，并停止于对应位置处的保护层；以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层，以裸露所述栅极层中另一栅极；

去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的材料为SiN或SiON。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化物材料。

4.一种鳍式场效晶体管半成品结构，其特征在于，包括：

栅极层；

保护层，位于所述鳍式场效晶体管的鳍顶端；

牺牲层，位于所述栅极层上表面。

5.根据权利要求4所述的半成品结构，其特征在于，还包括一光罩，位于经化学机械研磨停止所述保护层。

6.根据权利要求4所述的半成品结构，其特征在于，所述保护层的材料为SiN或SiON。

7.根据权利要求4所述的半成品结构，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化物材料。