[发明专利]集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法，包括晶圆级封装芯片和IPD芯片；所述IPD芯片包括玻璃基板，玻璃基板正面设置IPD器件和金属布线层；在所述玻璃基板的背面刻蚀形成TGV孔，在玻璃基板的背面和TGV孔内表面设置背面金属布线层，在背面金属布线层的焊盘上设置焊球，焊球与PCB板连接。所述三维堆叠结构的制作方法，包括以下步骤（1）将晶圆级封装芯片和玻璃基板的IPD芯片进行堆叠；（2）在IPD芯片背面刻蚀TGV孔，在玻璃基板背面制作背面金属布线层；（3）将背面金属布线层刻蚀成绝缘的两部分；在两部分背面金属布线层上制作焊盘和焊球，通过焊球连接PCB板。本发明实现芯片和IPD器件之间的短距离互连，提升了电学质量。

主权项

一种集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将晶圆级封装芯片（2）和玻璃基板（4）的IPD芯片（3）进行堆叠，IPD芯片（3）正面的金属布线层（6）与晶圆级封装芯片（2）的芯片信号端口（11）连接；（2）在IPD芯片（3）的背面刻蚀得到TGV孔（7），TGV孔（7）由玻璃基板（4）的背面刻蚀至正面的金属布线层（6）；（3）在玻璃基板（4）的背面溅射金属，在玻璃基板（4）的背面、TGV孔（7）的内表面得到背面金属布线层（8）；（4）对背面金属布线层（8）进行刻蚀，将背面金属布线层（8）刻蚀成相互绝缘的两部分；（5）在两部分绝缘的背面金属布线层（8）上分别制作焊盘（9），在焊盘（9）上分别制作焊球（10）；（6）将上述结构通过焊球（10）与PCB板（1）进行互连，完成集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构的制作。