[发明专利]用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构和检测方法有效
| 申请号： | 201410172644.9 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097779B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 殷登平;许广勤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构以及用于检测STI结构的电隔离性能的检测方法，其中用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构包括第一检测电极，第一检测电极垂直于待测试的STI结构的长度方向设置；连接电极，连接电极垂直于STI结构的长度方向设置，连接电极的沿垂直于反型层的方向的结构包括设置在反型层的表面的绝缘层和设置在绝缘层上的电极材料层，当电极材料层加载电压时，绝缘层下方的反型层内形成反转层；第二检测电极，第二检测电极设置在反型层内，且与加载电压时所形成的反转层电连接；第一检测电极与连接电极之间具有一个待检测的STI结构。本申请的检测结构能够承受更高的电压，能够得到更真实准确的击穿电压数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 sti 结构 隔离 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种用于检测STI结构的电隔离性能的检测结构，其特征在于，包括：第一检测电极(11)，所述第一检测电极(11)垂直于待测试的STI结构(100)的长度方向设置；连接电极(21)，所述连接电极(21)垂直于所述STI结构(100)的长度方向设置，所述连接电极(21)的沿垂直于反型层(200)的方向的结构包括设置在所述反型层(200)的表面的绝缘层(212)和设置在所述绝缘层(212)上的电极材料层(211)，当所述电极材料层(211)加载电压时，所述绝缘层(212)下方的所述反型层(200)内形成反转层(213)；第二检测电极(30)，所述第二检测电极(30)设置在所述反型层(200)内，且与加载电压时所形成的所述反转层(213)电连接；所述第一检测电极(11)与所述连接电极(21)之间具有一个待检测的STI结构(100)；所述第一检测电极(11)和所述STI结构(100)均设置在所述反型层(200)内，所述STI结构(100)的上表面与设置有所述连接电极(21)的所述反型层(200)的上表面平齐。
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